2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[16p-B508-1~17] 13.3 絶縁膜技術

2023年3月16日(木) 13:00 〜 17:45 B508 (2号館)

田岡 紀之(名大)、山本 芳樹(ルネサスエレクトロニクス)

15:30 〜 15:45

[16p-B508-9] ペロブスカイト酸化物エピタキシャル界面への 原子層挿入による積層順序制御効果の検証

田村 敦史1、喜多 浩之1,2 (1.東大院工、2.東大院新領域)

キーワード:ダイポール、ペロブスカイト、DRAMキャパシタ

ペロブスカイト酸化物におけるダイポール効果は伝導帯オフセットを増大させDRAM キャパシタにおける課題であるリーク特性の改善が期待される。ダイポール層であるLAOの積層順序は下地 SRO の表面終端原子により決まるというモデルが妥当と考えられたが実験的には検証されていなかった。本研究では表面終端原子依存の摩擦力を測定するLFMを用いて、モデル検証を行い、課題であった積層順序の制御可能性が示された。