[16p-D215-1~16] 11.5 Junction and circuit fabrication process, digital applications

[16p-D215-2] Demonstration of a cell of an impulse-driven memory based on a π-SQUID

Yuto Takeshita¹, Hinata Fujisawa¹, Masayuki Higashi¹, Feng Li¹, Masamitsu Tanaka¹, 〇Akira Fujimaki¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:matrix memory, ferromagnetic Josephson junction, pi-phase shift Josephson junction

我々はこれまでにインパルス駆動メモリを提案し、数値解析ならびに実験によって研究を進めてきた。このメモリセルは、超伝導ループ内にπ接合を１つ含む超伝導量子干渉計(π-SQUID)において、自発的に発生する時計回りと反時計回りの周回電流を論理値の“1”、 “0”に対応させて記憶する。今回は、Word線、Bit線、出力のすべてがインパルス信号となるメモリセルの実証をした結果について報告する。