[16p-D221-1~11] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

[16p-D221-2] As-grown MgB₂薄膜の短時間アニール効果

山﨑 輝¹、田代 達哉¹、川山 巌¹、〇土井 俊哉¹ (1.京大)

キーワード：超伝導、二ホウ化マグネシウム薄膜、ポストアニール

Si基板上にEB蒸着法でMgB₂薄膜を作製し，600, 650, 700, 750℃で1秒間の後アニールを行った。As-grown薄膜のT_cは34.4 Kであったが、600、650、700、750℃で1秒の後アニールを施した試料のT_cはそれぞれ35.5、35.9、35.7、35.9 Kであり、1秒アニールすることでT_cは1.1-1.5 K向上した。as-grown MgB₂薄膜に対する後アニールは1秒という短時間でも効果があることが分かった。