[16p-D505-1~9] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[16p-D505-1] Surfaces passivation of polycrystalline Si films formed by FLA with stacked amorphous Si films formed by Cat-CVD

〇(D)Zheng WANG¹, Huynh Thi Cam Tu¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:Thin film silicon, Flash lamp annealing, Cat-CVD

簡易裏面電極型Siヘテロ接合太陽電池の開放電圧を向上することを目的として、FLAにより形成したn-poly-Si膜にi-a-Si:H積層パッシベーション膜を堆積し、その効果を調査した。積層膜のキャリア寿命は、単層膜と比較し、高いキャリア寿命を示した。この結果より、n-poly-Siのパッシベーション性能向上に、i-a-Si:H積層パッシベーション膜が有用であることを確認した。また、各層の膜厚調整により、積層膜の有用性のさらなる向上も期待される。