[16p-D505-1~9] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

△ [16p-D505-4] Ag-Ge-Sb-Te系CBRAM におけるRF入力によるDC抵抗変化

〇(DC)殷 ユウヒ¹、塚本 慶人¹、林 等¹、中岡 俊裕¹ (1.上智大)

キーワード：RF波入力可能なCBRAM、アモルファスカルコゲナイド半導体、Ag-Ge-Te系

アモルファスカルコゲナイド半導体の中にAgなどの活性金属イオンが移動する異常拡散は，フィラメント形成などの興味深い電気化学反応としてのみならず，メモリー，センサーなど広い応用に向け研究されている。Agフィラメント形状は電気化学反応，拡散，応力とった複雑な材料パラメータに依存し，成長メカニズムはCBRAM機構の理解に重要である。我々はRF波入力可能なAg-Ge-Te系CBRAMを作成し，RF波によるCBRAMの特性変化を評価してきた。本研究では，異なるフィラメント形状を示すAg-GeTe（樹枝状）とAg-Ge2Sb2.5Te5 （シート状）において定性的に異なる抵抗のRF周波数依存性を見出したので報告する。