[16p-D511-1~11] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [16p-D511-10] PL法及びラマン分光法による3次元自己組織化多層SiGeナノドットの評価

〇伊藤 佑太¹、横川 凌^1,2、Wen Wei-Chen³、山本 裕司³、寿川 尚¹、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.明大MREL、3.IHP)

キーワード：ナノドット、SiGe、歪

格子定数の異なる薄膜を堆積させ島状のナノドットを自然形成させるSK成長における歪状態の理解のため、PL・ラマン分光法を用いてSiGe/Si超格子とSiGeナノドットを比較し、結晶状態を評価した。PL法よりナノドットの圧縮歪の増加、歪状態の変化によるGe組成比の変動、閉じ込め効果の低次元化によるバンドギャップ変調が示唆された。ラマン分光法よりナノドットにおける面内方向の圧縮歪の増加が示唆された。