[16p-D511-1~11] 15.5 Group IV crystals and alloys

[16p-D511-11] Investigation of Strain-Free Raman Shift for All Mode in SiGe using Bulk SiGe

〇Ryo Yokogawa^1,2, Sho Sugawa¹, Yuki Shibayama¹, Yasutomo Arai³, Ichiro Yonenaga⁴, Atsushi Ogura^1,2 (1.Meiji Univ., 2.MREL, 3.JAXA, 4.Tohoku Univ.)

Keywords:Raman spectroscopy, SiGe, Strain

SiGe中の歪、Ge組成は、キャリア移動度向上やデバイス設計に直接寄与するため精密な制御が必要であり、評価手法としてラマン分光法が注目される。ラマン分光法で歪、Ge組成を高精度に評価する場合、各Ge組成に対し無歪ラマンシフトを高精度に決定する必要がある。本研究では全振動モードの無歪ラマンシフトをバルクSiGeを用いることで、直接算出を試みたので報告する。