[16p-D519-1~15] CS.1 2.3 加速器質量分析・加速器ビーム分析、7.4 量子ビーム界面構造計測、7.5 イオンビーム一般のコードシェアセッション

[16p-D519-1] 高速クラスターイオンビーム照射による自立グラフェン膜からの二次電子放出

〇(M1)宇野 鳴記¹、間嶋 拓也¹、斉藤 学¹、土田 秀次¹ (1.京都大院工)

キーワード：高速クラスターイオンビーム、二次電子エネルギー

高速クラスターイオンビームが物質に衝突すると、二次電子が生成される。生成された二次電子は固体内で励起、電離によってエネルギーを失いながら輸送され、表面から放出される。この輸送過程の影響を低減させることで、二次電子の初期エネルギー分布を測定することが可能となる。そこで、本研究では標的に単層グラフェンを用いた。発表では、グラフェン膜から放出された二次電子のエネルギー分布を示す。