[16p-D519-1~15] CS.1 2.3 加速器質量分析・加速器ビーム分析、7.4 量子ビーム界面構造計測、7.5 イオンビーム一般のコードシェアセッション

[16p-D519-3] イオンビーム誘起発光分析・イメージングを用いた
粒子線微細加工(PBW)微細加工領域のその場観察技術

〇(M2)張 錦汕¹、臼井 洸貴¹、菊池 涼太¹、加田 渉¹、花泉 修¹、山田 尚人²、佐藤 隆博²、石井 保行² (1.群馬大、2.量研)

キーワード：PBW、イオンビーム誘起発光

Proton/Particle Beam Writing (PBW)技術は、加工対象の選択性が高く、高いアスペクト比での加
工が可能な特徴的な量子ビーム利用微細加工技術である。これまでに、高分子材料やワイドバン
ドギャップ半導体材料への微細加工に応用されている。PBW技術の拡充には、対象材料の拡大や
照射条件の迅速な把握が必要であるが、従来のイオンビーム分析技術では、非破壊的に変化量を
把握することは困難であった。これに対して、本研究では、イオンビーム誘起発光(Ion Beam
Induced Luminescence: IBIL)に着目し、IBIL分光分析をPBWの微細加工操作と同時に利用可能とす
ることで、照射中もしくは照射前後において対象領域に起こる照射効果の可視化を目指した。