[16p-D704-1~18] 10.4 Spintronics in semiconductor, topological material, superconductor, and multiferroics

△ [16p-D704-1] Fabrication of electric-field-effect quantum dot optical spin device using superlattice barrier

〇Hiroto Kise¹, Soyoung Park¹, Satoshi Hiura¹, Junichi Takayama¹, Kazuhisa Sueoka¹, Akihiro Murayama¹ (1.IST, Hokkaido Univ.)

Keywords:electron spin polarization, electric field effect, superlattice

高いスピン偏極状態を保持したまま電子スピンを輸送できる超格子バリアを用いた電界効果型量子ドット光スピンデバイスを作製し、量子ドットにおける発光時の電子スピン偏極率の電界依存性について研究した。量子ドット層の上下にAlGaAs/GaAsを用いた超格子バリアと、GaAsバリアをそれぞれ成長させ、外部電界によるバンドポテンシャルの制御により量子ドットに注入する電子スピンの生成・輸送層の切り替えを行った。