[16p-D704-1~18] 10.4 半導体・トポロジカル・超伝導・強相関スピントロニクス

△ [16p-D704-1] 超格子バリアを用いた電界効果型量子ドット光スピンデバイスの作製

〇木瀬 寛都¹、朴 昭暎¹、樋浦 諭志¹、高山 純一¹、末岡 和久¹、村山 明宏¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：電子スピン偏極率、電界効果、超格子

高いスピン偏極状態を保持したまま電子スピンを輸送できる超格子バリアを用いた電界効果型量子ドット光スピンデバイスを作製し、量子ドットにおける発光時の電子スピン偏極率の電界依存性について研究した。量子ドット層の上下にAlGaAs/GaAsを用いた超格子バリアと、GaAsバリアをそれぞれ成長させ、外部電界によるバンドポテンシャルの制御により量子ドットに注入する電子スピンの生成・輸送層の切り替えを行った。