[16p-D704-1~18] 10.4 半導体・トポロジカル・超伝導・強相関スピントロニクス

△ [16p-D704-17] 磁性トポロジカル絶縁体V_y(Bi_xSb_1-x)_2-yTe₃のMBE成長におけるGaAsバッファ層導入の効果

〇中澤 佑介¹、秋保 貴史¹、蟹澤 聖¹、入江 宏¹、熊田 倫雄¹、村木 康二¹ (1.NTT物性研)

キーワード：磁性トポロジカル絶縁体、量子異常ホール効果、分子線エピタキシー

磁性トポロジカル絶縁体V_y(Bi,Sb)_2-yTe₃について、磁性ドーパント組成や膜厚の不均一を改善することを目的にMBE成長におけるGaAs(111)Aバッファ層の効果を調べた。従来用いられているInP(111)A基板上に直接成長した場合と比べ結晶性の向上が確認されたほか、いずれの試料においても量子異常ホール効果が観測された。