[16p-D704-1~18] 10.4 Spintronics in semiconductor, topological material, superconductor, and multiferroics

△ [16p-D704-17] Effect of GaAs buffer layer on MBE growth of magnetic topological insulator V_y(Bi_xSb_1-x)_2-yTe₃

〇Yusuke Nakazawa¹, Takafumi Akiho¹, Kiyoshi Kanisawa¹, Hiroshi Irie¹, Norio Kumada¹, Koji Muraki¹ (1.NTT BRL)

Keywords:Magnetic topological insulator, Quantum anomalous Hall effect, Molecular beam epitaxy

磁性トポロジカル絶縁体V_y(Bi,Sb)_2-yTe₃について、磁性ドーパント組成や膜厚の不均一を改善することを目的にMBE成長におけるGaAs(111)Aバッファ層の効果を調べた。従来用いられているInP(111)A基板上に直接成長した場合と比べ結晶性の向上が確認されたほか、いずれの試料においても量子異常ホール効果が観測された。