[16p-E102-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-E102-12] 加熱β-Ga₂O₃基板上に電子ビーム蒸着によって形成したNiO薄膜

〇中込 真二¹、安田 隆¹ (1.石巻専修大理工)

キーワード：酸化ガリウム、酸化ニッケル、電子ビーム蒸着

600℃に加熱したβ-Ga₂O₃基板上に電子ビーム蒸着でNiOを成膜することで均一な連続薄膜が得られたのでその特性を報告する。X線回折測定からNiOが単一の結晶配向で成膜されていることがわかった。この方法で試作したダイオードの特性も報告する。