[16p-E102-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16p-E102-5] マスクレス手法によるα-Ga₂O₃の転位密度低減

〇大島 祐一¹、安藤 裕之²、四戸 孝² (1.物材機構、2.FLOSFIA)

キーワード：酸化ガリウム、転位、マスクレス

マスク形成を必要としない、α-Ga₂O₃の簡便な転位密度低減技術を開発したので報告する。