[16p-E502-1~9] 12.4 有機EL・トランジスタ

[16p-E502-8] フローティングゲート型アンチ・アンバイポーラトランジスタを用いたロジックインメモリの開発(1): 3値ロジックインメモリ

〇早川 竜馬¹、Panigrahi Debdatta¹、Zhong Xinhao¹、相見 順子¹、若山 裕¹ (1.物材機構)

キーワード：アンチ・アンバイポーラトランジスタ、3値ロジックインメモリ、フローティングゲート

Internet of Everything (IoE)社会に向けてリアルタイムで高速に処理する高性能有機集積回路の開発が求められている。本目的に対し、我々は、アンチ・アンバイポーラトランジスタと呼ばれる室温で負性抵抗を示すトランジスタにフローティングゲートとして機能する亜鉛フタロシアニンコアーポリスチレン (ZnPc-PS₄) を組み込むことで3値論理回路と3値メモリ機能を統合した3値ロジックインメモリ素子を実現したので報告する。