The 70th JSAP Spring Meeting 2023

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13 Semiconductors » 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[16p-PA03-1~6] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

Thu. Mar 16, 2023 1:30 PM - 3:30 PM PA03 (Poster)

1:30 PM - 3:30 PM

[16p-PA03-2] Formation of β-FeSi2 NDs by SiH4-Exposure to Fe-NDs

Haruto Saito1, Katsunori Makihara1, Wang Zilu1, Noriyuki Taoka1, Akio Ohta1, Seiichi Miyazaki1 (1.Nagoya Univ.)

Keywords:Iron silicide, nanodot, b-FeSi2

これまでに、SiO2熱酸化膜上にリモートH2プラズマ支援により高密度・一括形成したFeナノドットに基板温度400˚CでSiH4照射を行った場合、Feシリサイドナノドットが形成でき、0.79eV付近に室温PLが認められることを報告した。本研究では、SiH4照射時におけるガス圧力および照射時間がFeナノドットのシリサイド化反応に及ぼす影響を評価した。結果としてSiH4照射によりβ-FeSi2相形成後、表面にSiが堆積することで発光強度が低減することがわかった。