[16p-PA03-1~6] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[16p-PA03-2] Fe ナノドットへの SiH₄照射によるβ-FeSi₂ナノドットの高密度形成

〇斎藤 陽斗¹、牧原 克典¹、王 子璐¹、田岡 紀之¹、大田 晃生¹、宮﨑 誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：鉄シリサイド、ナノドット、b-FeSi2

これまでに、SiO₂熱酸化膜上にリモートH₂プラズマ支援により高密度・一括形成したFeナノドットに基板温度400˚CでSiH₄照射を行った場合、Feシリサイドナノドットが形成でき、0.79eV付近に室温PLが認められることを報告した。本研究では、SiH₄照射時におけるガス圧力および照射時間がFeナノドットのシリサイド化反応に及ぼす影響を評価した。結果としてSiH₄照射によりβ-FeSi₂相形成後、表面にSiが堆積することで発光強度が低減することがわかった。