[16p-PA04-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16p-PA04-1] 界面顕微光応答法によるAu/Ni/p⁺-SiCショットキー接触の二次元評価

〇今林 弘毅¹、澤崎 仁施¹、吉村 遥翔¹、伊藤 夏輝¹、加藤 正史²、塩島 謙次¹ (1.福井大院工、2.名工大)

キーワード：界面顕微光応答法、p-SiC、二次元評価

我々は金属-半導体界面を二次元評価できる界面顕微光応答法(SIPM : Scanning Internal Photoemission Microscopy)を開発し，これまでにn-SiC, n-GaN, n-α-Ga₂O₃ショットキー電極面内の障壁高さの均一性を評価してきた．本研究では，これまでに報告例の少ないp⁺-SiC膜の均一性を評価する実験を行った．