[16p-PA04-1~24] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[16p-PA04-10] Formation and characterization of SiO₂ by Atomic-Species-Enhanced Chemical Vapor Deposition (2)

〇Sho Yamagata¹, Ryota Ouchi¹, Sogo Shikata¹, Masakazu Furukawa², Akihiro Wakahara¹, Hiroshi Okada¹ (1.Toyohashi Univ. Tech., 2.Aries Research Limited Company)

Keywords:silicon dioxide, Chemical Vapor Deposition

我々は基底状態原子支援化学気相堆積(ASECVD)法を独自開発し、シリコン系絶縁膜の新規堆積手法を提案している。本手法では堆積反応に必要な低エネルギーの基底状態の原子による反応支援を用いるため低ダメージで高品質な膜堆積が期待できる。本発表では、ASECVD法によるSiO2形成時の堆積温度の膜質への影響や堆積後熱処理の効果を調べるため、膜堆積と堆積膜の評価を行った。