[16p-PA04-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16p-PA04-10] 基底状態原子支援化学気相堆積法によるシリコン酸化膜の形成及び評価（２）

〇山形 翔¹、尾内 亮太¹、鹿田 颯吾¹、古川 雅一²、若原 昭浩¹、岡田 浩¹ (1.豊橋技科大、2.アリエースリサーチ(有))

キーワード：SiO2、化学気相堆積法

我々は基底状態原子支援化学気相堆積(ASECVD)法を独自開発し、シリコン系絶縁膜の新規堆積手法を提案している。本手法では堆積反応に必要な低エネルギーの基底状態の原子による反応支援を用いるため低ダメージで高品質な膜堆積が期待できる。本発表では、ASECVD法によるSiO2形成時の堆積温度の膜質への影響や堆積後熱処理の効果を調べるため、膜堆積と堆積膜の評価を行った。