[16p-PA04-1~24] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[16p-PA04-11] Sub-bandgap-light-assisted C-V characteristics of MOS structure with Mg-doped p-GaN

〇Takahide Nukariya¹, Yuya Tamamura¹, Umi Takatsu¹, Taketomo Sato¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:p-GaN, interface state

GaNは、大きな禁制帯幅、高い絶縁破壊電界、高い電子移動度、高い飽和電子速度を有するので、高効率パワーMOSFET向けの材料として有望である。n-チャネルの高効率GaN MOSFET実現のためには、絶縁体とp-GaNとの界面の制御および評価が必須となる。 高濃度にMgをドープしたp-GaNを用いたMOS構造に対して、サブバンドギャップ光支援C–V測定を試みた。