[16p-PA04-1~24] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[16p-PA04-12] Evaluation of gap-states near conduction band in the vicinity of MOS interface for Mg-ion-implanted GaN after ultra-high-pressure annealing

〇Yuki Hatakeyama¹, Masamichi Akazawa¹, Tetsuo Narita², Michal Bockowski^3,4, Tetsu Kachi³ (1.RCIQE, Hokkaido Univ., 2.Toyota Central R&D Labs., Inc., 3.IMaSS, Nagoya Univ., 4.Unipress, Poland)

Keywords:GaN, UHPA

GaNによる高効率パワーMOSFETの実現のためには、イオン注入技術の確立が重要な課題である。イオン注入後GaNに対する超高圧アニール(UHPA)は、その確立のために有望な技術であり、nチャネル反転型MOSFETの良好な動作にはGaN MOS界面の制御が必須である。今回我々は、UHPA後のMgイオン注入GaNを用いてMOS構造を作製し、伝導帯付近の界面近傍禁制帯準位について調べた結果を報告する。