[16p-PA04-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16p-PA04-15] GaN縦型パワーデバイスにおけるFLR構造の設計に向けたトポロジー最適化の検討

〇(M1)山口 拓真¹、野村 勝也¹、服部 佳晋² (1.関西学院大学、2.大同大学)

キーワード：パワーデバイス、GaN、トポロジー最適化

本研究では、縦型GaNパワーデバイスにおけるField limiting rings (FLR)構造の最適設計方法確立に向けた基礎検討として、FLR構造が 0あるいは 1 の規格化ドーズ量をとる構造とみなせることに着眼し、ダブルウェルポテンシャルを用いた規格化ドーズ量二値化の効果を確認した。設定した制約条件を徐々に強めながら目的関数の最小化を行うことで、規格化ドーズ量はおおよそ二値化されたが、目的関数が増加してしまうという課題が明らかになった。