[16p-PA04-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16p-PA04-16] 低オン電圧高電流特性を示す環境発電用GaNヘテロ接合整流ダイオード

〇日野 晃貴¹、マリアエマ ヴィリアミン¹、岩田 直高¹ (1.豊田工大)

キーワード：GaN、ダイオード、環境発電

多数のIoTセンサー端末への電源供給が課題であり、電波、振動などの環境エネルギーの利用が求められている。本研究の目的は0Vのオン電圧と高電流特性を示す環境発電用GaNヘテロ接合ダイオードの実現であり、ゲート構造を検討した。作製したゲートメサ長:4µmのgated-anode diodeは、0.1Vの低オン電圧および1A/mmを超える高電流特性を示した。