[16p-PA04-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16p-PA04-22] 耐圧650Vパワーデバイスのボディダイオードのリカバリ特性比較

〇服部 佳晋¹、加地 徹² (1.大同大学、2.名古屋大学　未来材料・システム研究所)

キーワード：パワー半導体デバイス、ボディダイオード

耐圧650Vのパワーデバイスとして、Si-RC-IGBT、Si-Super Junction MOSFET、SiC-MOSFET、カスコードGaN-FETが市販されている。今回、1チップ構成で、同じ定格(耐圧650V、ドレイン電流40A)で同じパッケージ(TO-247)をもつ上記4つのデバイスを対象とし、ボディダイオードのリカバリ特性を比較した。