[16p-PA07-1~6] FS.1 Focused Session "AI Electronics"

[16p-PA07-2] Reduction of a switching area in a NiO-based ReRAM for observing quantized conductance

〇(M1)Riku Takagi¹, Tsuyoshi Hasegawa¹ (1.Waseda Univ.)

Keywords:ReRAM, quantized conductance

近年、抵抗変化型メモリReRAMは次世代の不揮発性メモリとして大きな注目を集めている。先行研究ではクロスバー型のNi/NiO/Pt素子を用いたが、初期オフ抵抗が低い素子が多いという課題があった。本研究ではスイッチング領域を限定することで初期オフ抵抗と繰り返し耐性の向上が確認された。さらに磁性材料であるNiによって磁場強度に依存した量子化コンダクタンスの観測を目指した。