[16p-PA07-1~6] FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

[16p-PA07-2] 量子化コンダクタンス観測を目指したNiO抵抗変化型メモリのスイッチング面積制限

〇(M1)高木 陸¹、長谷川 剛¹ (1.早大先進理工)

キーワード：抵抗変化型メモリ、量子化コンダクタンス

近年、抵抗変化型メモリReRAMは次世代の不揮発性メモリとして大きな注目を集めている。先行研究ではクロスバー型のNi/NiO/Pt素子を用いたが、初期オフ抵抗が低い素子が多いという課題があった。本研究ではスイッチング領域を限定することで初期オフ抵抗と繰り返し耐性の向上が確認された。さらに磁性材料であるNiによって磁場強度に依存した量子化コンダクタンスの観測を目指した。