[16p-PA08-1~18] 6.3 Oxide electronics

[16p-PA08-14] Effect of tetravalent doping on structure and conductivity of LaNiO₃ epitaxial thin films

〇Kazuya Kawamura¹, Yuki Goto¹, Kenta Kaneko¹, Satoru Kaneko^2,1, Mamoru Yoshimoto¹, Akifumi Matsuda¹ (1.Tokyo Tech, 2.KISTEC)

Keywords:Epitaxial thin film, Lanthanum nickelate, Ruddlesden Popper

擬立方晶ペロブスカイト構造をとるLaNiO₃は超伝導体YBCOや圧電・強誘電体PZTなどの機能性酸化物と格子整合が良い下部電極や、触媒などとして研究がなされてきた。LaNiO₃を含むRuddlesden-Popper相結晶において、イオン半径が比較的小さい 4 価ドーパントを用いたLa³⁺の置換に関する研究例は多くないが、それによる構造変化と、Niイオン化学状態の変化を介した電子ドープ効果に関する知見は、さらなる物性制御への貢献が期待できる。本研究では、エピタキシャルLaNiO₃薄膜への4価ドーピングがイオン化学状態および導電性に及ぼす影響を調査した。