[16p-PA08-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16p-PA08-17] 酸化銅エピタキシャル薄膜の真空紫外光照射による構造・物性変化

〇喬 宇馳¹、金子 健太¹、庄司 拓貴¹、金子 智^2,1、吉本 護¹、松田 晃史¹ (1.東工大 物質理工、2.神奈川産技総研)

キーワード：酸化銅、真空紫外光照射、エピタキシャル薄膜

酸化銅の安定相であるCuOおよびCu₂Oはいずれもp型半導体で、それらのヘテロエピタキシャル積層構造も太陽電池における光活性層として研究された。我々のグループではエピタキシャルCu₂O薄膜へVUV光照射を行い、導電性やトポケミカルな構造の制御を見出した。本研究では室温におけるCuO/Cu₂Oヘテロ構造作製とその物性制御を目的として、エピタキシャルCu₂O薄膜へのVUV光照射が結晶構造と導電性に及ぼす影響を検討した。