[16p-PA08-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16p-PA08-4] ペロブスカイト酸化物抵抗変化メモリにおける繰り返し動作特性とスイッチング電圧の相関関係

〇(B)大谷 亮介¹ (1.東理大理)

キーワード：半導体、耐久性、性能評価

ペロブスカイト型抵抗変化メモリは連続的な抵抗制御が可能であることから多値或いはアナログメモリへの応用が期待される. 一方,スイッチングを繰り返すと, メモリウィンドウの狭小化, 即ち, 抵抗比が低下してしまう特徴がある. 本研究はPt/Nb-doped SrTiO3 (NSTO)接合を用い, 低抵抗化 (SET)・高抵抗化 (RESET)電圧が繰り返し動作に伴うメモリ特性への影響を調査した. その結果, 繰り返し耐性の改善にはSET電圧とRESET電圧のバランスが重要であることが示された。