[16p-PA08-1~18] 6.3 Oxide electronics

[16p-PA08-4] Correlation between Memory Characteristics for Repetitive Operation and Switching Voltages in Perovskite Oxide Resistive Random Access Memory

〇(B)Ryosuke Otani¹ (1.Tokyo Univ. of Sci.)

Keywords:semiconductor, endurance, performance evaluation

ペロブスカイト型抵抗変化メモリは連続的な抵抗制御が可能であることから多値或いはアナログメモリへの応用が期待される. 一方,スイッチングを繰り返すと, メモリウィンドウの狭小化, 即ち, 抵抗比が低下してしまう特徴がある. 本研究はPt/Nb-doped SrTiO3 (NSTO)接合を用い, 低抵抗化 (SET)・高抵抗化 (RESET)電圧が繰り返し動作に伴うメモリ特性への影響を調査した. その結果, 繰り返し耐性の改善にはSET電圧とRESET電圧のバランスが重要であることが示された。