[16p-PA09-1~18] 6.4 薄膜新材料

[16p-PA09-11] GST/VO₂積層構造においてGSTの結晶化がVO₂の転移特性に及ぼす影響(II)
－TiO₂ (001)基板とAl₂O₃ (001)基板の比較－

〇(M1)大貫 卓斗¹、沖村 邦雄¹、中本 歴²、村岡 祐治³、坂井 穣⁴、桑原 正史⁵ (1.東海大院工、2.岡山大院自然科学、3.岡山大基礎研、4.豊島製作所、5.産業技術総合研究所)

キーワード：薄膜、GST、二酸化バナジウム

VO₂は誘起した金属相が揮発性である点やIMT温度がデバイス応用にはやや高いといった課題がある．そこで本研究では相変化材料であるGSTの体積変化による歪をVO₂に加えることで、IMTを制御する試みをした. 今回Al₂O₃(001)基板及びTiO₂(001)基板を導入した．V-Vペアが面直方向に沿って成長するTiO₂基板と，基板平行に成長するAl₂O₃基板との比較はGSTの効果を検証する上で有効である.