[17a-A301-1~9] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[17a-A301-1] Photocurrent induced by Franz-Keldysh effect in β-Ga₂O₃ Schottky barrier diode

〇Takuya Maeda¹, Kentaro Ema², Kohei Sasaki² (1.The University of Tokyo, EEIS, 2.Novel Crystal Technology, Inc.)

Keywords:Franz-Keldysh effect, Gallium Oxide, Photocurrent

半導体に高電界を印加すると電子・正孔の波動関数が禁制帯中に浸み出し，基礎吸収端より短波長側で吸収係数の振動，長波長側で裾引きが起こる．これはFranz-Keldysh (FK)効果として知られている．本研究では，β-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオードに基礎吸収端より長波長の単色光を照射し，光電流の逆バイアス電圧依存性・波長依存性を調べ，FK効果に起因した光吸収の測定・解析に成功したので報告する．