[17a-A301-1~9] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[17a-A301-2] β-Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes with Breakdown Voltage of Over 1700V

〇Jun Arima¹, Minoru Fujita¹, Katsumi Kawasaki¹, Jun Hirabayashi¹ (1.TDK Corp.)

Keywords:semiconductor, gallium oxide, Ga2O3

β-Ga₂O₃は、4.5 eV程度の広いバンドギャップを有し、絶縁破壊電界も高いことから、パワーデバイスへの応用が期待される材料である。我々は、トレンチMOS構造を設けたGa₂O₃ SBD (β-Ga₂O₃ MOS-SBD)の開発を行なっている[1]。今回、β-Ga₂O₃ MOS-SBDの終端構造の検討を行い、耐圧1700V以上を得たので報告する。