[17a-A301-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17a-A301-2] 1700V耐圧β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオード

〇有馬 潤¹、藤田 実¹、川崎 克己¹、平林 潤¹ (1.TDK)

キーワード：半導体、酸化ガリウム、Ga2O3

β-Ga₂O₃は、4.5 eV程度の広いバンドギャップを有し、絶縁破壊電界も高いことから、パワーデバイスへの応用が期待される材料である。我々は、トレンチMOS構造を設けたGa₂O₃ SBD (β-Ga₂O₃ MOS-SBD)の開発を行なっている[1]。今回、β-Ga₂O₃ MOS-SBDの終端構造の検討を行い、耐圧1700V以上を得たので報告する。