[17a-A301-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17a-A301-3] アンペア級β-Ga₂O₃ヘテロJBSダイオードの作製とスイッチング評価

〇高塚 章夫¹、宮本 広信¹、佐々木 公平¹、倉又 朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：酸化ガリウム、ジャンクションバリアーショットキーダイオード、ヘテロ接合

アンペア級β型酸化ガリウムヘテロJBSの作製に初めて成功した。ヘテロpn接合形成のため、p型Cu₂Oを用い、またアンペア級素子の実現のため素子サイズは1.4mm角とした。作製した素子の電気特性を評価したところ、順方向電流は最大で3.5 A、耐圧は最大で875 Vを確認した。またそのダブルパルス試験を行ったところ、ショットキーバリアーダイオードと同等の高速スイッチング動作が可能であることを確認した。