[17a-A301-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[17a-A301-7] ダイヤモンドMOSFETにおけるドリフト抵抗フリー構造の提案

〇松本 翼¹、佐藤 解¹、中村 勇斗¹、Traore Aboulaye²、牧野 俊晴³、加藤 宙光³、小倉 政彦³、市川 公善¹、林 寛¹、猪熊 孝夫¹、山崎 聡¹、德田 規夫¹ (1.金沢大、2.筑波大、3.産総研)

キーワード：ダイヤモンド、MOSFET、ドリフト抵抗

MOSFETは，原理的にノーマリーオフ特性を示すことから，信頼性や省エネ性に優れており，SiやSiCを用いたパワーデバイスが広く普及している。ダイヤモンドは，これらと比較して高い絶縁破壊電界やキャリア移動度を有しており，さらなる高耐圧や高周波を見据えた材料である。ダイヤモンドにおける重要課題の一つである深い不純物準位を、逆に利点とする構造を提案する。