[17a-A303-1~6] 3.12 半導体光デバイス（旧3.13）

[17a-A303-3] 粒子加速器用10kV級SiC光伝導スイッチ

〇川崎 泰介¹、安田 浩昌¹、Yahia Vincent^3,2、吉田 光宏^4,3、平等 拓範^2,3、吉田 学史⁵、木村 重哉⁵、太田 千春⁵、宮崎 久生⁵ (1.東芝エネルギーシステムズ、2.理研、3.分子研、4.高エネ研、5.東芝)

キーワード：光伝導、スイッチ、加速器

光伝導スイッチは励起レーザの応答速度で高速に大電圧を制御出来、高速なパルスパワー電源やその応用利用が期待できる。粒子加速器分野では光伝導スイッチで発生した大電圧の短パルスを粒子の加速電場に適用すれば、放電を抑制し、加速電場の向上、加速器の小型化につながる。今回、加速器への適用を目指し4H-SiCを使用した光伝導スイッチを評価、0.4nsの応答速度と11.4kVの大電圧パルスが測定された。