[17a-A403-1~10] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[17a-A403-9] GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードの室温動作に向けた構造設計

〇石本 修斗¹、坂下 満男¹、黒澤 昌志¹、中塚 理^1,2、柴山 茂久¹ (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：共鳴トンネル、GeSn、GeSiSn