[17a-A408-1~7] 6.3 Oxide electronics

[17a-A408-6] Fast H⁻ conduction in the ab-plane of La₂LiHO₃ epitaxial thin films

〇Yuki Sasahara^1,2, Takashi Hirose¹, Masataka Yoshimoto¹, Naoki Matsui^1,3, Shigeru Kobayashi¹, Hiroki Ubukata², Fumitaka Takeiri^4,5, Kota Suzuki^1,3,6, Masaaki Hirayama^1,3, Kazunori Nishio¹, Ryota Shimizu^1,6, Ryoji Kanno^1,3, Genki Kobayashi^4,5,7, Taro Hitosugi^1,8 (1.Tokyo Tech, 2.Kyoto Univ., 3.IIR, 4.IMS, 5.SOKENDAI, 6.JST-PRESTO, 7.RIKEN, 8.Univ. Tokyo)

Keywords:hydride conductor, oxyhydride, epitaxial thin film

ヒドリド(H⁻)はその独特な性質によって、基礎から応用にわたって注目を集めている。ここ数年で多様なH⁻伝導体が発見されたが、これまでに多結晶体の合成報告しかなかったため、結晶方位に依存したH⁻伝導を評価できていない。そこで本研究では、(001)配向したH⁻伝導体La₂LiHO₃エピタキシャル薄膜を作製し、理論計算からH⁻の拡散経路と予測されているab面内のH⁻伝導を評価した。その結果、これまでに報告されているバルク多結晶体よりも4桁高いH⁻伝導率を見出した。