The 70th JSAP Spring Meeting 2023

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.3 Oxide electronics

[17a-A408-1~7] 6.3 Oxide electronics

Fri. Mar 17, 2023 9:30 AM - 11:30 AM A408 (Building No. 6)

Yukiharu Uraoka(NAIST)

11:00 AM - 11:15 AM

[17a-A408-6] Fast H conduction in the ab-plane of La2LiHO3 epitaxial thin films

Yuki Sasahara1,2, Takashi Hirose1, Masataka Yoshimoto1, Naoki Matsui1,3, Shigeru Kobayashi1, Hiroki Ubukata2, Fumitaka Takeiri4,5, Kota Suzuki1,3,6, Masaaki Hirayama1,3, Kazunori Nishio1, Ryota Shimizu1,6, Ryoji Kanno1,3, Genki Kobayashi4,5,7, Taro Hitosugi1,8 (1.Tokyo Tech, 2.Kyoto Univ., 3.IIR, 4.IMS, 5.SOKENDAI, 6.JST-PRESTO, 7.RIKEN, 8.Univ. Tokyo)

Keywords:hydride conductor, oxyhydride, epitaxial thin film

ヒドリド(H)はその独特な性質によって、基礎から応用にわたって注目を集めている。ここ数年で多様なH伝導体が発見されたが、これまでに多結晶体の合成報告しかなかったため、結晶方位に依存したH伝導を評価できていない。そこで本研究では、(001)配向したH伝導体La2LiHO3エピタキシャル薄膜を作製し、理論計算からHの拡散経路と予測されているab面内のH伝導を評価した。その結果、これまでに報告されているバルク多結晶体よりも4桁高いH伝導率を見出した。