[17a-A408-1~7] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[17a-A408-6] La₂LiHO₃エピタキシャル薄膜のab面内における高速H⁻伝導

〇笹原 悠輝^1,2、廣瀬 隆¹、吉本 将隆¹、松井 直喜^1,3、小林 成¹、生方 宏樹²、竹入 史隆^4,5、鈴木 耕太^1,3,6、平山 雅章^1,3、西尾 和記¹、清水 亮太^1,6、菅野 了次^1,3、小林 玄器^4,5,7、一杉 太郎^1,8 (1.東工大物質理工、2.京大院工、3.東工大科創院、4.分子研、5.総研大、6.JSTさきがけ、7.理研、8.東大院理)

キーワード：ヒドリド伝導体、酸水素化物、エピタキシャル薄膜

ヒドリド(H⁻)はその独特な性質によって、基礎から応用にわたって注目を集めている。ここ数年で多様なH⁻伝導体が発見されたが、これまでに多結晶体の合成報告しかなかったため、結晶方位に依存したH⁻伝導を評価できていない。そこで本研究では、(001)配向したH⁻伝導体La₂LiHO₃エピタキシャル薄膜を作製し、理論計算からH⁻の拡散経路と予測されているab面内のH⁻伝導を評価した。その結果、これまでに報告されているバルク多結晶体よりも4桁高いH⁻伝導率を見出した。