[17a-B309-1~10] 17.2 グラフェン

[17a-B309-6] 大気圧Ar中でバッファー層を形成したｎ型及び半絶縁性SiC(0001)の内殻準位光電子分光

〇前田 文彦¹、高村 真琴²、日比野 浩樹³ (1.福工大工、2.NTT物性基礎研、3.関西学院大工)

キーワード：バッファー層、バンド湾曲、半絶縁性SiC(0001)基板

大気圧Ar雰囲気での高温加熱によってSiC(0001)上にバッファー層を作製し、内殻準位光電子分光測定を行った。その結果、n型基板と半絶縁性基板上バッファー層清浄表面について表面のFermi準位は同様に伝導帯の0.05eV下にあることがわかった。この結果は、半絶縁性基板における大きなバンド湾曲が必要であるが、その起源は説明できない。そこで、表面付近がn型化するという表面変成モデルを提案する。