[17a-B401-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[17a-B401-3] High-frequency operation in an HBAR based on epitaxial AlN film grown on n-SiC

〇Megumi Kurosu¹, Daiki Hatanaka¹, Ryuichi Ohta¹, Hiroshi Yamaguchi¹, Yoshitaka Taniyasu¹, Hajime Okamoto¹ (1.NTT BRL)

Keywords:BAW, HBAR, Acoustic device

高倍音バルク音響共振器は、表面弾性波デバイスよりも高いQ値を持ち、且つ、GHz帯の高周波動作が可能なことから、低位相ノイズの周波数基準発振器や量子情報処理への応用に向け、精力的に研究が行われている。今回、我々は、n-SiC上にエピタキシャル成長したAlNをトランスデューサとして使用した高倍音バルク音響共振器を作製した。AlN層を薄膜化することで、Kバンド近傍（< 26.5 GHz）での高周波動作が可能となったので報告する。