[17a-B401-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-B401-3] AlN/n-SiC高倍音バルク音響共振器の高周波動作

〇黒子 めぐみ¹、畑中 大樹¹、太田 竜一¹、山口 浩司¹、谷保 芳孝¹、岡本 創¹ (1.NTT物性研)

キーワード：バルク弾性波、HBAR、弾性波デバイス

高倍音バルク音響共振器は、表面弾性波デバイスよりも高いQ値を持ち、且つ、GHz帯の高周波動作が可能なことから、低位相ノイズの周波数基準発振器や量子情報処理への応用に向け、精力的に研究が行われている。今回、我々は、n-SiC上にエピタキシャル成長したAlNをトランスデューサとして使用した高倍音バルク音響共振器を作製した。AlN層を薄膜化することで、Kバンド近傍（< 26.5 GHz）での高周波動作が可能となったので報告する。