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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-B401-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

2023年3月17日(金) 09:00 〜 11:45 B401 (2号館)

小林篤(東大)、林侑介(阪大)

11:15 〜 11:30

[17a-B401-8] マグネトロンスパッタリング法によるc-BN薄膜のエピタキシャル成長

〇平間一行¹、谷保芳孝¹、熊倉一英¹ (1.NTT物性研)

キーワード：立法窒化ホウ素、マグネトロンスパッタリング、ダイヤモンド