[17a-D221-1~10] 11.4 アナログ応用および関連技術

△ [17a-D221-5] 超伝導細線クライオトロンのデザイン要素に関する感度解析

〇(M1)安川 直輝¹、西尾 太一郎¹、馬渡 康徳² (1.東理大理、2.産総研)

キーワード：超伝導体、ナノクライオトロン、シミュレーション

MITが発明したnTronは、超伝導細線の常伝導転移を利用する三端子素子である。本研究では、時間依存Ginzburg-Landau方程式と熱拡散方程式を連立させ、有限要素法により数値的に解くことにより、nTronのデザイン要素に関する感度解析シミュレーションを行ったので、その数値計算結果を報告する。