[17a-D419-1~12] 6.4 薄膜新材料

[17a-D419-10] 膜厚制御されたPbI₂薄膜における二次元励起子閉じ込め効果

〇中村 優男¹、難波 隆一²、安波 貴広²、小川 直毅^1,2、十倉 好紀^1,2,3、川﨑 雅司^1,2 (1.理研CEMS、2.東大院工、3.東京カレッジ)

キーワード：層状化合物、励起子、二次元閉じ込め効果

本研究では、直接遷移型の層状半導体PbI₂における励起子の二次元閉じ込め効果を詳細に調べた。膜厚を精密に制御したMBE成長薄膜は、吸収スペクトルにおいて励起子重心運動の量子化による振動構造を示した。また、膜厚が5原子層以下では強い閉じ込めを示す量子化エネルギーのブルーシフトが観測された。これは、層状半導体では初の、強い閉じ込めと弱い閉じ込め状態のクロスオーバーの検出に成功した結果である。