2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[17a-D419-1~12] 6.4 薄膜新材料

2023年3月17日(金) 09:00 〜 12:00 D419 (11号館)

吉本 護(東工大)、山原 弘靖(東大)

11:45 〜 12:00

[17a-D419-12] MnドープITOエピタキシャル成長膜におけるSnドープ量が物性に与える影響

〇(D)北川 彩貴1、中村 敏浩1,2 (1.京大院人環、2.京大国際高等教育院)

キーワード:希薄磁性半導体、透明導電膜、スパッタエピタキシー

近年, 希薄磁性半導体が注目されている. 中でもMnドープITO薄膜は高い透明性と導電性, 室温強磁性の特性を併せもつ. しかしながら, 成膜条件による特性間のトレードオフの関係が懸念される. そこで本研究では成膜条件として特性に影響を与えることが予想されるSnの添加量と物性の相関関係を評価することで, 特性向上に向けたSnの最適添加量の調査を目的として研究を遂行した.